技术编号:7159108
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池,具体是指一种机械叠层碲化镉/多晶硅太阳能电池结构。背景技术CdTe是能隙为1. 45eV的直接禁带半导体材料,很接近太阳电池需要的最优化能隙,吸收系数约为IO5CnT1,就太阳辐射光谱中能量高于CdTe能隙的范围而言,I微米厚的CdTe可以有效吸收其99%。目前国际上CdTe太阳电池的光电转换效率已达17. 3%。多晶硅太阳能电池以其转换效率较高(19. 8% )、性能稳定和成本适中而得到越来越广泛的应用。多晶硅太阳能电池对原料的纯度...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。