技术编号:7159292
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种。背景技术在半导体制造工艺中,光刻对准精度是制约更小尺寸工艺的关键因素之一。由于版图设计的前后层关联性,在后道工序中,通常会采用后层直接对前层的光刻对准标记的办法,以提升前后层的对准精度,保证产品的性能。在一些特殊的工艺平台中,会在后道工序中弓丨入薄金属层以连接上下介质层。例如,在嵌入式闪存(Embedded Flash)的工艺平台中引入 的自对准工艺,其关键步骤就是氧化层和金属层对准工艺,如图1所示,其中,金属层工...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。