技术编号:7159335
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体涉及一种亚光刻尺寸线和间隔图案的制造方法。更具体地,涉及使用各种传统微电子方法的组合方法在不同基底上制造亚光刻尺寸线和间隔图案的方法,包括光刻图案化和蚀刻、多晶硅蚀刻、多晶硅氧化,以及多晶硅沉积。背景技术 纳米压印光刻是用于获得纳米级尺寸(小到几十纳米)的图案的一项有前途的技术。形成纳米级尺寸的图案的关键步骤是首先形成一个压印模,其包括与纳米级尺寸的图案互补的图案。典型地,该压印模包括由一个基底材料携带的亚光刻尺寸线和间隔图案。压印模被促使和另一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。