技术编号：7159337
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种在沟槽式电容器与晶体管之间形成接触带以达到电性接触的存储器组件改良制造方法，特别是有关于一种防止埋层接触带向外扩散(Buried Strap outdiffusion)的方法。背景技术 目前DRAM的存储容量已达到64百万位甚至256兆位以上，在组件积集度要求越来越高的情况下，存储单元与晶体管的尺寸亦不断的大幅缩小，以制造出存储容量更高，处理速度更快的DRAM。就目前使用的立体化电容器的制程技术，电容器于半导体基底上占用的面积可以大幅减少...
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