技术编号:7159389
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。—种控制阵列式高压LED侧壁倾斜角度的新工艺本专利涉及一种制造阵列式高压LED芯片(HV-LED)过程中控制侧壁倾斜角度的新工艺。背景技术最近发展起来的阵列式高压LED芯片(HV-LED)技术采用了新型的微单元阵列结构,构成LED芯片的每一个微单元因为被通过离子束刻蚀形成的沟槽环绕,而独立发光,同时,相互之间又经金属桥联取得电流级联,通过串-并联组合的方式构成预先设计的电路结构,承载预定的交直流(高)电压,工作发光,因此,虽然单晶粒LED发光芯片驱动电压在...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。