技术编号：7159427
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有金属前介质填充(Pre Metal Dieletric，PMD)结构的半导体器件及其制备方法。背景技术金属前介质层作为器件和互连金属层间的间隔层以及使器件免受杂质粒子污染的保护层，其膜层沉积效果的好坏直接影响器件的性能。随着集成电路特定尺寸的逐渐缩小，需要金属前介质填充的空间尺寸也越来越小，越来越有挑战性。请参阅图1、图2，图1是一种现有技术的静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)的版图示意图...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。