技术编号:7159463
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电子器件,特别是涉及一种InGaN太阳能电池及其制备方法。背景技术近年来,以GaN、InGaN为代表的III族氮化物太阳能电池成为人们研究的热点。研究表明,InN的禁带宽度为0. 7eV,这意味着通过调节hfahN三元合金中的InN组分,其对应的吸收光谱的波长几乎完整地覆盖了整个太阳光谱。由于h组分的连续可调,能够达到设计的理想禁带宽度组合,而易获得更高的转换效率,多结InGaN电池光电转换效率最高可达太阳能电池的最大转化效率72%。现有...
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