技术编号:7159602
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体器件的方法;而且尤其是一种形成量子点的方法。背景技术 根据因半导体器件集成度的进步所造成的电流大小降低的趋势,存在于沟道区中的电子总数也会减少几十个电子。当用于驱动半导体器件所需的电子数减少时,在那些用以驱动半导体器件的电子当中,对应统计上的错误的电子百分比反而会增加。此增加的电子百分比会严重影响半导体器件的可靠度。因此,明显需要发展一种能够精确控制单一电子的新结构半导体器件。最近提出的用以克服上述限制的单电子晶体管能够控制单一电子...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。