技术编号：7159866
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及适合于生产异质结双极型晶体管(HBT)的薄膜半导体外延衬底以及生产此薄膜半导体外延衬底的工艺。背景技术 作为应用于微波以上频率范围的半导体元件，是用诸如MOCVD的最新的优秀晶体生长技术生产出来的高性能异质结双极型晶体管(HBT)。HBT是如下组成的用比基区层具有更大带隙的材料作发射区层使发射区-基区的结为异质结，而且与同质结双极型晶体管相比，当空穴从基区层流入发射区层时能量势垒被抬高以致能阻止空穴流向发射区，由此提高了发射区的注入效率。上述组成...
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