技术编号:7160155
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件领域技术,尤其涉及处。背景技术掺氧半绝缘多晶硅(SIPOS)薄膜呈半绝缘性和电中性,与传统的Si02膜相比,有以下优点1、与Si02中含有的固定正电荷不同,SIPOS膜呈电中性,本身无固定电荷,不会影响硅衬底表面载流子的重新分布,既可作为P型衬底钝化膜,也可作为N型衬底钝化膜。2、SIP0S膜的电阻率介于多晶硅( 3E60hm-cm)和Si02( > lE160hm_cm)之间,为1E8 lElOOhm-cm,具体的数值由其氧含量...
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