技术编号：7160170
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子行业元件制备工艺领域，尤其涉及一种。背景技术碳化硅(SiC)作为新一代宽禁带半导体材料，越来越引起人们的重视，它具有大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特点，在国际上受到广泛关注。目前 SiC基肖特基势垒二极管(JBS)器件已经在电力电子领域得到广泛应用。SiC JBS器件中 SiO2钝化层可以起到减少注入损伤，保护芯片表面玷污，以及场版中厚钝化介质的作用。目前钝化层的刻蚀工艺主要有干法刻蚀与湿法刻蚀的方式。对于湿法刻蚀，其...
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