技术编号：7160210
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路，具体涉及一种阻止铜扩散的新型阻挡层材料及其制备方法。背景技术在现代集成电路的铜互连技术中，通常采用Cu/low-k双镶嵌工艺来制备铜互连结构，在刻蚀好的通孔中淀积钽(Ta) /氮化钽(TaN)双层结构作为铜的扩散阻挡层，然后淀积较厚的铜籽晶层以获得良好的电镀铜层。有效的阻挡层必须既能阻止铜扩散进入介质层，又能改善阻挡层与介质层之间的粘附性。众所周知，在0. 13微米的技术节点中，Ta/TaN 双层阻挡层已经被成功应用于工业铜互连技...
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