技术编号:7160518
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请是国际申请号为PCT/JP98/00892、国际申请日为1998年3月4日、中国国家申请号为98803082.9、发明名称为“”的专利申请的分案申请。本发明涉及包括半导体器件的,特别涉及适用于形成如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的栅氧化膜(绝缘膜)的技术。在半导体工业的最初阶段,广泛地使用起泡,即如氧气等的携带气体穿过起泡器中的水。虽然该技术的优点在于可以提供宽范围的湿气含量,但不能避免污染的问题,由此目前已很少使用该技术。因此,已广泛...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。