技术编号:7160531
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请要求2002年5月14日申请的韩国专利申请No.2002-26438的优先权,在这里引入它的全部内容作为参考。与此同时,为了高度集成如DRAM等的半导体器件,现已开发出无论图形之间的对准精度如何,通过自对准法在栅电极之间形成接触栓塞技术以形成高集成度半导体器件中需要的微小器件。在自对准方式的半导体器件的制造方法中,构图栅电极,以低剂量注入杂质离子,在栅电极的侧壁上形成间隔层,以便高剂量注入杂质离子以形成轻掺杂的漏(LDD)结构的源/...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。