技术编号:7161822
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件,具体涉及一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。背景技术在集成电路器件技术发展中,器件的尺寸按摩尔(Moore)定律不断缩小,从而集成电路的集成密度增大。但沟道长度的缩小带来的严重的短沟道效应及严重的性能退化, 特别是亚阈泄漏电流的增大带来的严重的静态功耗问题,使得传统的场效应晶体管已经不能作为未来新一代器件的候选。因此,领域内致力寻求新器件方案,包括新结构、新材料等。 而隧穿场效应晶体管(TFET)是一种新型工作机制器件,可以抑制短沟道效...
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