技术编号：7161845
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路的制造，并且更具体地涉及一种带有多个栅极结构的半导体器件。背景技术随着晶体管尺寸的减小，在栅极长度缩短的情况下必须减小栅极氧化物的厚度来保持性能。然而，为了减少栅极的泄漏，通常要使用具有高介电常数(高_k)的栅极氧化物层，该具有高介电常数的栅极氧化物层允许较大的物理厚度，并同时保有了与在将来的技术节点中使用普通的栅极氧化物所提供的相同的有效厚度。另外，随着技术节点的缩小，在一些集成电路(IC)的设计中需要利用金属栅电极、替代普通的多晶硅栅...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。