技术编号:7161882
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体功率器件,涉及受可动离子沾污影响的硅制高压功率器件,特别适用于硅制超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管(Superjunction VDMOS, 即超结VDM0S,一下均简写为超结VDM0S),更具体的说,涉及一种在高温反偏条件下具有高可靠性的硅制超结VDMOS的终端结构。背景技术目前,功率器件在日常生活、生产等领域的应用越来越广泛,特别是功率金属氧化物半导体场效应晶体管,由于它们拥有较快的开关速度、较小的驱动电流、较宽的安全工作区,因此受...
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