技术编号:7161972
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术目前,众所周知的半导体装置的制造方法如专利文献1(日本特开2002-9196号公报)中所示,在基板的具有导电性的一面形成实施了预定的图案化的抗蚀图层,在除了抗蚀图层以外的露出基板的面,以超过抗蚀图案的厚度电沉积导电性金属,以此分别独立地并列形成上端部周边具有伸出部的半导体元件搭载用金属层和电极层,然后除去抗蚀图层,在金属层上搭载半导体元件,用接合线电连接半导体元件上的电极和电极层,用树脂密封半导体元件的搭载部分,然后通过除去基板而...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。