技术编号:7162229
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制作,并且更具体地,涉及应变源极/漏极结构。 背景技术当通过多种技术节点按比例缩小诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 的半导体装置时,将高介电常数栅极介质层和金属栅电极层结合在MOSFET的栅叠层中以通过降低的特征尺寸来改善装置性能。另外,可以将利用选择生长的锗化硅(SiGe)的 MOSFET的源极/漏极(S/D)凹进腔的应变材料用于提高载流子迁移率。然而,在互补金属氧化物半导体(CMOS)制作中存在实现这种特征和处理的挑战...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。