技术编号:7162313
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体照明,尤其涉及一种具有点状分布N电极结构的氮化镓基倒装工艺发光二极管及其制备方法。背景技术在半导体照明领域,在非光出射端面上的光损失一直是倒装焊LED芯片发光效率难以更大幅度提高的问题之一,氮化镓(GaN)基化合物半导体材料具有宽禁带直接带隙, 可以用来制作绿光、蓝光和紫外光LED,在普通LED的基础上,通过增加管芯尺寸,即所谓大管芯LED,能够提高发光功率,同时为了进一步提高发光功率和利于器件散热,通常采用倒装焊技术,使氮化镓基大管芯LE...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。