技术编号：7162371
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造，具体来说，本发明涉及一种重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法。背景技术超低电容瞬态电压抑制器(TVS)可以用来保护高频电路的瞬态电压转换和抑制浪涌。其低电容期间由一个低击穿电压的雪崩二极管和一个低电容的导引二极管组成。后者的最大特点是通过在浓掺杂(重掺杂)的P型衬底上(电阻率在0. 009-0. 013欧姆厘米) 生长高阻的N型外延层(150 400欧姆厘米)，形成超低电容的二极管。为了得到足够低的电容，对高阻外延的电阻率要求非常...
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