技术编号:7162951
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具备包含了磁阻元件的存储单元的半导体集成电路器件。背景技术 近年,提出了很多种根据新原理存储信息的存储器。作为其中之一,我们知道利用了磁阻效应、特别是Roy Scheuerlein等人提出的隧道型磁阻(Tunneling Magneto-Resistive以下称作TMR)效应的磁随机存储器。(参考文献)ISSCC2000 Technical Digest p.128“A 10ns Read and WriteNon-Volatile Memory...
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