技术编号:7162963
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉太阳能电池技术,特别是涉及一种。背景技术研究发现,铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜铟镓硒光吸收层的禁带宽度呈V型分布时能有效的改善光伏电池器件的电学性质,相对于平坦的能带分布或者单向的能带分布情形,具有V型双梯度结构的铜铟镓硒半导体薄膜可以在保证较好电流收集效率的情况下提升开路电压。但具有V型分布的能带结构的太阳能电池,由于其光吸收层的能带具有很宽的分布,从而导致其在长波段的吸收边不陡峭,对截止能量附近的长波光子吸收不充分,即使增加光吸收层厚度也不能很好...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。