技术编号:7163346
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及一种。 背景技术随着半导体工艺进入深亚微米时代,0. 18微米以下的元件(例如CMOS集成电路的有源区之间)大多采用浅沟槽隔离结构(STI)进行横向隔离来制作,在专利号为US7112513 的美国专利中还能发现更多关于浅沟槽隔离技术的相关信息。浅沟槽隔离结构作为一种器件隔离技术,其具体工艺包括在硅衬底上形成氮化硅层,并在所述氮化硅中形成通孔,所述通孔具有与界定出有源区的隔离区对应的形状;以氮化硅层为掩模,刻蚀硅衬底以形成隔离沟槽;...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。