技术编号:7163478
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种NMOS形成方法、CMOS形成方法。背景技术应变记忆技术(Stress Memorization Technique,简称SMT)以及应力刻蚀阻挡层技术(Stressd-CESL, contact etch stop layer)是现有的提高晶体管载流子迁移率的两种技术。通过上述两种技术,在晶体管的沟道区形成稳定应力,提高沟道中的载流子迁移率。所述应力平行于沟道长度方向,可以为延伸应力或压缩应力。通常拉伸应力可以使得沟...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。