技术编号:7163636
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种沟槽型绝缘栅场效应管,具体涉及一种用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构。背景技术现有的沟槽型绝缘栅场效应管(IGBT)单元如图1所示,包括一 N型外延层,N型外延层的顶部形成有多个P型阱,多个P型阱之间分别通过沟槽隔离;沟槽内形成有栅氧化层,栅氧化层内填充有多晶硅栅,构成场效应管的栅极;沟槽两侧的P型阱内分别有一 N型有源区作为场效应管的源极;在P型阱中与N型有源区相邻的还有一 P型有源区用做P型阱的接出端,在外部与源极相连#型外延层的背面...
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