技术编号:7163737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种。背景技术在90nm及其以下节点集成电路制造工艺中,通常采用Cu-CMP的大马士革镶嵌工艺(damascenes process)来制造金属布线,一般形成单镶嵌结构和双镶嵌结构,单镶嵌结构通常仅把单层金属布线的制造方式由传统的“金属刻蚀+介电层填充”改为“介电层刻蚀+金属填充”,双镶嵌结构通常通过通孔和金属布线结合在一起,只需要已到金属填充步骤,可简化制程,多用于多层互连结构的制造。现有技术中,为了适应器件尺寸的缩小和...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。