技术编号:7163843
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种金属氧化物阻变存储器;本发明还涉及一种金属氧化物阻变存储器的制造方法。背景技术金属氧化物阻变存储器是一种新型存储器,它通过金属氧化物存储单元电阻在电场作用下改变阻值达到记录信息的目的。金属氧化物阻变存储器的工作原理是通过金属氧化物中氧离子在电场下漂移或者热场下扩散等作用靠近/远离金属氧化物-电极界面,从而对金属氧化物-电极界面的势垒进行调节,达到使界面电阻升高/降低的目的。现有金属氧化物阻变存储器的存储介质多...
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