技术编号:7163912
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种太阳能电池及一种太阳能电池制造方法。 背景技术在将来的太阳能电池中,期待着将介质钝化层设在其半导体衬底的背面表面上, 以便使半导体表面的载荷子组合最小化,从而提高太阳能电池的效能。已知有许多材料可用作钝化层。从电池的角度来看,氧化铝作为钝化层材料的潜力尤其大,这是因为在半导体和氧化铝的交界处形成负电荷,而所述电荷由于在P型材料上发生场效应而带来所谓的场效应钝化。钝化之后,为了和太阳能电池产生接触,须在介质钝化的钝化层上形成一金属层。 目前在工...
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