技术编号:7164046
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种栅极氧化层的测试结构,尤其是一种有源区边界加强性栅极氧化层测试结构。背景技术随着超大规模集成电路晶体管集成度的迅速提高,MOS管的栅极氧化层厚度也越来越薄。在栅氧变薄的同时,电源电压却不宜降低,在较高的电场强度下,势必使栅氧的性能成为一个突出的问题。栅氧抗电性能不好将引起MOS器件电参数不稳定,如阈值电压漂移、跨导下降、漏电流增加等,进一步引起栅氧的击穿,导致器件的失效,使整个集成电路陷入瘫痪。因此,有关栅氧可靠性能的测试逐渐成为最为重要的课...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。