技术编号：7164112
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制程领域，尤其涉及一种能够存储电荷的ONO结构及其制备方法，具体而言，涉及一种用DPN (脱偶等离子体氮化工艺)氮氧化硅作为SONOS存储介质层的ONO结构及其制备方法。背景技术非挥发性半导体存储器在半导体存储器件中扮演着重要的角色。非挥发性存储器的基本工作原理是在一个MOSFET (金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管)的栅介质中存储电荷。其中电荷被存储在一个适当的介质层的分立的俘获中心里的器件被称为电荷俘获器件。这类器...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。