技术编号:7164170
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路中的浅槽隔离结构。背景技术浅槽隔离(STI)工艺用于制造半导体衬底的有源区之间的隔离区,所述隔离区为介质材料,并且通常为氧化硅(SiO2)。现有的浅槽隔离结构如图1a所示,在衬底11上具有一个或多个浅槽隔离结构16,该浅槽隔离结构16的截面形状呈现为倒梯形,即开口处的宽度大于底部的宽度,其侧壁与底部的夹角为钝角,这种倒梯形的截面形状有利于填充沟槽。请参阅图lb,现有的浅槽隔离结构进行离子注入的方法为先在半导体衬底11上淀积一层硬...
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