技术编号:7164171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种HBT(Heterojunction bipolar transistor,异质结双极型晶体管)器件,特别是涉及一种锗硅(SiGe)HBT器件。背景技术制作SiGe HBT器件的一个重要环节是制作集电区埋层,以降低基区、集电区、衬底组成寄生器件的电流放大系数,并降低器件的饱和压降。对于重掺杂集电区的高速SiGeHBT器件,对埋层要求不高;但对轻掺杂集电区的高压SiGe HBT器件,埋层则是必不可少的。请参阅图1,这是现有的锗硅HBT器件的一个...
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