技术编号:7164187
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明基本上涉及半导体制造,更具体地来说,涉及集成电路器件及形成该器件的方法。背景技术半导体工业不断地追求着高密度、高性能、以及低成本。达到上述目标的主要方式是改变器件尺寸的大小。然而,超过IOOnm工艺技术节点的尺寸改变会出现许多困难,比如栅氧化层厚度、源极掺杂深度和漏极掺杂深度、以及电流密度。这些困难产生新式器件结构,从而改进了现有的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件。这些新式器件结构中的一些包括多栅极MOSFET器件。鳍式场效应晶体管(...
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