技术编号:7164232
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,具体涉及一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管。背景技术近年来,随着微电子技术的迅猛发展,以及汽车电子、航空航天、工业控制、电力运输等相关领域的迫切需求,发展新型大功率半导体器件越来越多的受到人们关注。功率 MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)是在MOS集成电路工艺基础上发展起来的新一代电力电子器件。而VDMOS (垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管,具体结构详见图1) 具有输入阻抗大、开关速度快、工作频率高、热稳定性好等优...
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