技术编号：7164380
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术，特别涉及一种高压P型LDMOS结构及其制造方法。背景技术高压P型LDMOS (横向双扩散金属氧化物半导体管)的传统结构，在漏端漂移区(drain drift)为p型讲，其下会有深N型讲(Deep N well, DNff)注入，以作为隔离用途。在垂直方向上看，形成了 PNP (P drift-DNW-P型衬底)结构，其穿通问题一直是高压PLDMOS器件的研发难点。图1为传统的P型LDMOS结构剖面图。区域I为证垂直方向上的PNP(Pd...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。