技术编号:7164495
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种半导体器件中的金属塞结构。 背景技术在有低浓度掺杂的外延层在上,高浓度掺杂的衬底在下的硅片中,把高浓度掺杂的衬底通过一种结构与表面的电极或高浓度掺杂区域联系在一起,通常有几种做法一是在离子注入之后进行长时间的高温推阱。它的缺点是横向尺寸大(纵向深度推9微米,横向宽度大约7微米),寄生的电容大,整个深度的浓度不能做得很高(电阻大); 并且由于高温推阱可能引起高浓度掺杂的衬底中杂质的重新扩散,影响外延层中的杂质浓度分...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。