技术编号:7164763
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体结构及其制造方法,更具体而言,涉及用于降低的发热的。背景技术精确电阻器通常被用于Si基微电子集成电路芯片中。这些电阻器经常由沉积在芯片上的多晶硅层制成,但也可由绝缘体上硅(SOI)晶片中的扩散硅(Si)层制成,或者由诸如TaN或TiN的难熔金属层制成。电阻器材料通常具有高的电阻率,其总电阻受到所使用的矩形膜部分的膜厚度以及宽度和长度控制。通过R = rho女1/A给出电阻,其中rho 为电阻率,1为矩形的长度(平行于电流的方向),且A为截面...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。