技术编号:7164802
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造中一种电容的制造方法,特别涉及。背景技术随着将标准的互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术应用于模拟与射频互补型金属氧化物半导体(RFCMOS)集成电路领域中的趋势,越来越多的被动组件应运而生。电容器是集成电路中的重要组成单元,广泛运用于存储器,微波,射频,智能卡,高压和滤波等芯片中。在芯片中广为采用的电容器构造是平行于硅片衬底的金属-绝缘体-金属(MM)。其中金属是制作工艺易与金属互连工艺相兼容的铜、铝等,绝缘体则是氮化硅、氧...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。