技术编号:7164826
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及静态型半导体存储器(以下,称为「SRAM」),更具体地说涉及CMOSSRAM的存储单元结构。背景技术图14是示出用4个晶体管形成的无负载型SRAM存储单元的现有的布局结构图。图12示出其等效电路图。关于这种类型的SRAM,例如发表在国际学会志IEDM‘98 pp643--646“A 1.9μm2Loadless CMOS Four-Transistor SRAM CellIn a 0.18μm Logic Technology”及国际论文志IEE...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。