技术编号:7164884
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术,尤其涉及。背景技术金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor, M0SFET)是一种可以广泛应用在数字电路和模拟电路中的晶体管。当MOSFET的栅介质层由高K介质材料构成时,可以有效地减小栅极漏电流,但是在最初形成高K栅介质层时,高K栅介质层的分子结构可能会稍有缺陷。为了修复该缺陷,需要在较高的温度(6000C -SOO0C )下对其进行退火。此外,...
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