技术编号:7164949
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路的制造,尤其涉及一种MOS晶体管轻掺杂漏区的制造方法。背景技术金属-氧化物-半导体场效应晶体管(M0SFET,通常简称为MOS晶体管),当工作在饱和区时其部分沟道被夹断,流过夹断区的载流子被大电场加快到很高的速度,形成所谓的热载流子;一些热载流子与晶格发生撞击后弹出沟道,其中一部分进入衬底形成衬底电流,另一部分进入栅氧化层;如果MOS晶体管继续工作,热载流子会引起其阈值电压逐渐偏移;这就是MOS晶体管的热载流子效应。对于短沟道晶体管...
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