技术编号:7164963
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制作技术,特别涉及一种鳍式场效应管(FinFET)及其基体。背景技术随着半导体技术的发展,半导体器件的性能稳步提高。半导体器件的性能提高主要通过不断缩小半导体器件的特征尺寸来实现,半导体器件的特征尺寸已经缩小到纳米级另IJ。半导体器件在这种特征尺寸下,传统平面制作半导体器件的方法,也就是单栅半导体器件的制作方法已经无法适用了,所以出现了多栅半导体器件的制作方法。与单栅半导体器件的制作方法相比较,多栅半导体器件具有更强的短沟道抑制能力、...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。