技术编号：7164982
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开一般涉及在将数据写入到磁存储单元并由磁存储单元保持数据的方式上的改进。背景技术有些类型的存储设备利用存储单元的固态数据存储阵列，其中每个单元被个体地编程为所选的已编程状态。这些单元可以是易失性或非易失性的，并且可以采用一次写入或多次写入配置。特别感兴趣的是利用磁隧道效应来建立所选已编程状态的磁存储器数据存储单元，诸如旋转扭矩转移随机存取存储器(STRAM)单元的情形。磁存储单元可包括具有所选磁定向的反铁磁参考层、和具有选择性可编程磁定向的自由层。自由...
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