技术编号：7165008
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电，特别是指一种在蓝宝石图形衬底上外延生长高质量氮化物外延膜的方法。背景技术氮化镓(GaN)基LED作为固态光源一经出现便以其高效、长寿命、环保等优点，被誉为继爱迪生发明电灯后人类照明历史上的第二次革命，成为国际上半导体和照明领域研发和产业关注的焦点。但目前GaN基LED进入通用照明领域，在技术和成本是还面临诸多难题。目前蓝宝石衬底是商业上氮化物异质外延生长最为常用的衬底之一。采用图形化蓝宝石衬底可以增加光在LED内部的全反射，进而提高L...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。