技术编号:7165078
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种改善MOS器件载流子迁移率的方法、以及采用了该改善MOS器件载流子迁移率的方法的MOS器件制造方法。背景技术半导体制造行业一直致力于提高MOSFET (金属-氧化层-半导体-场效晶体管, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,以下称为 MOS 器件)载流子迁移率。当前,业界为改善 CMOS (Complementary Metal Oxide ...
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