技术编号:7165337
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过在包含于器件中的蓝宝石衬底上形成凹凸来改善其光提取性能的第III族氮化物半导体发光器件。背景技术近年来,第III族氮化物半导体发光器件已经开始用于一般照明应用,并已经迫切需要显示出改善的光提取性能。专利文件1公开了其中在蓝宝石衬底上形成凹凸来改善半导体发光器件的光提取性能的方法。在包括不具有凹凸的平坦蓝宝石衬底的半导体发光器件的情况下,沿与衬底水平的方向在器件中传播的光受限于半导体层中,并通过例如重复多次反射而衰减。与之相比,在包括具有凹凸的...
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