技术编号:7165363
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种由形成于玻璃衬底上的具有晶体结构的半导体膜构成的半导体器件,更具体地,本发明涉及一种用于通过光互连在相关器件中进行信号传输的半导体器件。背景技术 关于在绝缘衬底或绝缘膜上形成的薄膜晶体管(TFT),其特点在于与在硅晶片上形成的MOS(金属氧化物半导体)晶体管的制造方法相比它的制造方法容易,并且可以利用大尺寸衬底以低成本制造它。特别地,关于用多晶硅膜形成其有源层的TFT(薄膜晶体管)(在此情况下为多晶TFT),由于它的迁移率与使用非晶硅的TFT...
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