技术编号:7165507
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种使用非晶氧化物的场效应晶体管。更具体地讲,本发明涉及一种使用非晶氧化物作为沟道层的场效应晶体管。背景技术场效应晶体管(FET)为具有栅极电极、源极电极和漏极电极的电子有源器件,其通过借助于向栅极电极进行电压施加来控制进入到沟道层的电流的流动,控制源极电极和漏极电极之间的电流。特别地,使用形成在绝缘衬底(例如陶瓷、玻璃或塑料衬底)上的薄膜作为沟道层的FET被称为薄膜晶体管(TFT)。上述TFT通过使用薄膜技术而形成,因而,TFT具有易于形成在面...
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