技术编号：7165519
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及。背景技术半导体功率器件的制备工艺中都会有沟槽刻蚀这道工艺步骤，一般的功率器件的沟槽刻蚀深度在1.3 μ m左右，但超级结产品的沟槽刻蚀深度需要达到35 μ m,远远深于一般的功率器件工艺，如图1所示。目前的超级结深沟槽刻蚀工艺中，在光刻完成，晶片周边曝光后，其边缘光阻的形貌会比较斜，光阻的厚度也会变薄，如图2所示，导致在刻蚀深沟槽时，光阻不够挡，而造成晶片边缘出现硅针(silicon grass)的缺陷，如图3...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。